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，从集电极侧注入大量的载流子，使IGBT内部充满高浓度的载流子，再加上为维持高电压而专门设置的n缓冲层，形成很薄的n-层，从而实现低通态电压。为了实现快速交换，也同时采用以IGBT内充满的载流子快速消失为目的的生命期控制技术（通过这些也能实现低交换损耗（Eoff））。但是，一旦运用了生命期控制技术，即使处于通常的导通状态，由于该技术所产生的效果（载流子的输送效率下降），出现了通态电压增加的问题，而通过载流子的更进一步高注入化可以解决这个问题。总之，使用外延片技术的IGBT的基本设计理念可以用“高注入、低输送效率”简单扼要地概括出来。相对而言，使用FZ晶片的IGBT（第四代1200V以后的系列）采用了抑制来自集电极侧载流子的注入，并通过降低注入效率来提高输送效率的逆向基本设计。在前面所述的使用外延片的IGBT的设计理念产。北京飞鸿恒信科技有限公司供应的富IGBT模块主要有以下型号：1MBH60D-1001MBI300L-0601MBI400L-0601MBI600L-0601MBI600NN-0601MBI600NP-0601MBI600LN-0601MBI600LP-0601MBI600N-0601MBI200N-0601MBI400N-0601MBI300N-0601MBI300L-1201MBI400L-1201MBI300N-1201MBI400N-1201MBI300NN-1201MBI400NN-1201MBI300NP-1201MBI400NP-1201MBI300LN-1201MBI400LN-1201MBI200L-1201MBI300L-1201MBI400L-1201MBI300NA-1201MBI400NA-1201MBI300SA-1201MBI400SA-1201MBI200S-1201MBI200U4-1201MBI400S-1201MBI300S-1201MBI600S-1201MBI600NT-1201MBI600PX-1201MBI600PX-1401MBI600P-1201MBI600P-1401MBI300U4-1201MBI400U4-1201MBI600U4-1201MBI400V-120-501MBI600V-120-501MBI900V-120-501MBI400U-1201MBI600U-1201MBI600U4B-1201MBI800U4B-1201MBI600UB-1201MBI800UB-1201MBI1200U4C-1201MBI1600U4C-1201MBI2400U4D-1201MBI3600U4D-1201MBI1200U4C-1701MBI1600U4C-1701MBI2400U4D-1701MBI3600U4D-1702MBI200J-0602MBI300J-0602MBI400J-0602MBI50N-0602MBI75N-0602MBI100N-0



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